Принципы построения мощных светодиодов

  Конструкции мощных светодиодов основаны на следующих принципах:
- использованы высокоэффективные излучающие гетероструктуры в системах AlGalnP/GaAs. AlGalnP/GaP и InGaN (активная область гетероструктуры содержит либо одиночную, либо множественные квантовые ямы);
- излучающие кристаллы имеют увеличенную площадь S более 1 мм 2
(вместо 0,05 мм2 в стандартных СИД диаметром 5 мм), увеличение площади кристалла направлено на увеличение рабочего тока, т. е. на увеличение светового потока и снижение теплового сопротивле­ния кристалла;
- для увеличения светового потока в ряде конструкций применяют­ся несколько кристаллов, соединенных как последовательно, так и параллельно­последовательно;
- в качестве кристалло-держателя для улучшения теплоотвода ис­пользованы мощные медные или алюминиевые основания (радиа­торы);
- для сбора и преобразования бокового излучения кристаллов при­менены соответствующие рефлекторы;
- для эффективного вывода излучения и формирования заданной диаграммы направленности излучения, конструкции светодиодов содержат полимерную линзу, согласованную по размерам с отра­жателем бокового излучения, а также в некоторых конструкциях вторичную оптику.

 На данный момент широкое распространение получили светодиоды типа Luxeon фирмы Lumileds Lighting. На рис. показано строение мощного светодиода Luxeon.

   Подобную конструкцию имеет многие мощные недорогие светодиоды китайских производителей. Конструкция светодиода Luxeon обеспечи­вает эффективный отвод тепла от кристалла. Значительное количество энергии, подводимой к светодиоду, все еще расходуется на нагрев кри­сталла. Световая отдача белого светодиода Luxeon при номинальном прямом токе 0,3 А составляет 30—40 лм/Вт. Т. е. это уже больше свето­ отдачи классических и галогенных ламп накаливания.

  Светодиоды Luxeon делятся по электрической мощности на следую­щие серии:
  Luxeon — 1 Вт (одно кристальные с прямым рабочим током 350 мА);
Luxeon III  — 3 Вт (одно кристальные с прямым рабочим током 0,7—1 А);
Luxeon V — 5 Вт (четырех кристальные с прямым рабочим током 700 мА).
Светодиоды Luxeon делятся по исполнению: 

Emitter — единичный светодиод (базовый элемент);
Star — Emitter на тепло отводящем основании.
На рис. 4.10 показан внешний вид белого светодиода Luxeon Star (кри­сталл и рефлектор покрыты слоем желтого люминофора). А на рис. 4.11 показан Luxeon Side Emitting на основании Star. Благодаря специальной конической линзе (обратная линза) имеет круговую диаграмму излучения.
  Star/C — Emitter на квадратном тепло­отводящем основании с разъемом
  Star/O — Emitter с интегрированной вторичной оптикой
 На рис. 4.12 представлены слева направо Luxeon Star/O (с интегрирован­ной вторичной оптикой), Luxeon Star и Luxeon Emitter.   Ring 6, Ring 12 — модуль, состоящий из 6 и 12 светодиодов Star/O, закрепленных на кольцевом основании (рис. 4.13).
 

Помимо Lumileds Lighting высокоэффективные (мощностью 1 Вт) све­тодиоды выпускают и другие известные фирмы производители, напри­мер, OSRAM Optosemiconductors выпускает серию Golden DRAGON™.
В табл. 4.1 приведены технические характеристики светодиодов белого света OSRAM, NICHIA, Edixeon мощностью 1 Вт.  

Следующим этапом раз­вития светодиодов Luxeon стали светодиоды серии Luxeon K2. Варианты их исполнения представлены на рис. 4.14 и рис. 4.15. На следующим рисунке
(рис. 4.16) приведено вну­треннее строение свето­диода Luxeon K2. 

 

 

 Источник:

   Ю. Н. Давиденко
Современная Схемотехника в освещении 

 Наука и техника, Санкт-Петербург 2008 г.

   

Изобретение светодиода

    В 1907 году английский инженер Х. Д. Раунд, трудившийся во все­мирно известной лаборатории Маркони, случайно заметил, что у рабо­тающего детектора вокруг точечного контакта возникает свечение.  Всерьез же заинтересовался этим физическим явлением и попытался найти ему практическое применение «непостижимо талантливый рус­ский» — Олег Владимирович Лосев.
  Обнаружив в 1922 году во время своих ночных радио вахт свечение  кристаллического детектора, этот, тогда еще 18­ летний, радиолюбитель не ограничился констатацией «странного» факта, а незамедлительно перешел к оригинальным экспериментам. Стремясь получить устойчи­вую генерацию кристалла, он пропускал через точечный контакт диод­ного детектора ток от батарейки. Он имел дело с прототипом полупро­водникового прибора, названного впоследствии светодиодом.

 Лосев писал: «У кристаллов карборунда (полупрозрачных) можно наблюдать (в месте контакта) зеленоватое свечение при токе через контакт всего 0,4 мА… Светящийся детектор может быть пригоден в качестве светового реле как без инертный источник света»

  Весь мир заговорил об «эффекте Лосева», на практическое примене­ние которого изобретатель успел получить (до своей гибели на войне в 1942 г.) четыре патента.
  С 1951 года центр по разработке «полупроводниковых лампочек», действующих на основе «эффекта Лосева», переместился в Америку, где его возглавил К. Леховец (США). В исследовании проблем, связанных со светодиодами, принял самое деятельное участие и «отец транзисто­ров» физик В. Шокли.
  Вскоре выяснилось, что германий (Ge) и кремний (Si), на основе которых делаются полупроводниковые триоды (транзисторы), беспер­спективны для светодиодов из­-за слишком большой «работы выхода» и, соответственно, слабого испускания фотонов на р­-n переходе.

  Успех же сопутствовал монокристаллам из сложных композитных полупроводников соединений:
галлия (Ga);
арсеникума (мышьяка — As); 

фосфора (Р);
индия (In);
алюминия (Al).

  Реализованы на практике эти идеи были лишь в 70­е годы после обна­ружения эффективной люминесценции полупроводниковых соединений типа AIIIBV — фосфида (GaP) и арсенида (GaAs) галлия и их твердых растворов.
  В итоге на их основе были созданы светодиоды. Таким образом был заложен фундамент новой отрасли техники — оптоэлектроники.

                           Первые промышленные светодиоды  
  Первые светодиоды, имеющие промышленное значение, были соз­даны в 60-­е годы на основе структур GaAsP/GaP Ником Холоньяком (США) c красным и желто-­зеленым свечением. Внешний квантовый выход был не более 0,1 %. Длина волны излучения этих приборов нахо­дилась в пределах 500—600 нм. Это область наивысшей чувствительно­сти человеческого глаза. Поэтому яркость их желто­зеленого излучения была достаточной для целей индикации. Световая отдача светодиодов при этом составляла приблизительно 1—2 лм/Вт.

  Дальнейшее совершенствование светодиодов проходило по двум  направлениям:

 - увеличение внешнего квантового выхода; 

 -  расширение спектра излучения.

 Великий вклад в эту работу советских ученых, в частности Ж. И. Алферова с сотрудниками, разработавших так называемые много проходные двойные гетероструктуры. Это открытие позволило значительно увели­чить внешний квантовый выход за счет ограничения активной области рекомбинации. Использовались гетероструктуры на основе арсенидов галлия­алюминия. При этом был достигнут внешний квантовый выход до 15 для красной части спектра (световая отдача до 10 Лм/Вт) и более 30 % — для инфракрасной.
   Показателен факт присуждения Жоресу Ивановичу Алферову Нобелевской премии в 2000 году, когда стали очевидными важность и огромное значение его работ для развития науки и техники.

 Источник:

   Ю. Н. Давиденко
Современная Схемотехника в освещении 

 Наука и техника, Санкт-Петербург 2008

 

 

  

   

Почему необходимо отводить тепло светодиода?

 Не правильно думать, что светодиоды не выделяютт тепла. Несмотря на то, что светодиоды и не излучают его в потоке света (т. е. обладают холодными пучками света), они все же вырабатывают тепло. Такие же источники света, светодиоды преобразуют электрическую энергию в энергию излучения и генерируют тепло. Отношение тепловой
энергии к энергии излучения зависит от потребляемой мощности и эффективности системы. Лампы накаливания выделяют большое количество инфракрасного (ИК) излучения и  большое количество тепла. При этом они излучают малое количество видимого света. Люминесцентные и металлогалогенные лампы производят не только большее количе-ство видимого света, но и большое количество ИК- и ультрафиолетового (УФ) излучения, а также много тепла. Как это ни странно, светодиоды пре-образуют относительно небольшую часть электроэнергии в энергию излу-чения – примерно столько же, сколько металлогалогенные и люминес-центные лампы – но так как они излучают очень малое количество ИК- и  УФ-излучения, то доля (в процентном отношении) видимого света, испу-скаемого светодиодами, сравнима с такой же долей у металлогалогенных и люминесцентных ламп и превосходит ее у ламп накаливания. В таблице ниже приведены сравнительные данные о долях (в процентном отношении) потребляемой мощности, преобразуемых в энергию излу-чения и в тепло светодиодами и некоторыми традиционными источниками света. Эти данные относятся к источникам белого света. 

 Эффективный отвод тепла является очень важным фактором для обе-спечения нормальной работы светодиода, так как сильный нагрев снижает световой поток светодиода и уменьшает его полезный срок службы. Для нормальной работы светодиодного источника света от него должно отво-диться генерируемое в нем тепло. В правильно сконструированных свето-вых приборах применяются эффективные радиаторы и другие теплоотводящие и конвекционные устройства, удаляющие тепло от светодиодных источников света и рассеивающие его в окружающем пространстве.

  Температура p-n-перехода
Одной из важнейших характеристик свето-диода является температура p-n-перехода, кото-рая часто обозначается как Tj. Как было описано в главе 2, p-n-переход является тем местом в све-тодиоде, где электрическая энергия (энергия элек-тронов) преобразуется в видимый свет (фотоны) и в тепло. При увеличении температуры p-n-перехода световой поток и срок службы светоди-ода уменьшаются.
На температуру перехода светодиода влияют три фактора: ток возбуждения, теплоотвод и окру-жающая температура. Как правило, чем выше ток возбуждения, тем выше температура перехода. Количество тепла, которое может быть отведено, зависит от окружающей температуры и конструк-ции устройства отвода тепла от светодиода в
среду, окружающую световой прибор. Обычно мощные светодиодные осветитель-ные приборы включают в себя излучатель, печат-ную плату и теплоотвод. Излучатель припаивается к печатной плате. Он включает полупроводнико-вый кристалл, оптику и теплоотвод, с помощью которого тепло отводится от полупроводникового кристалла. В большинстве светодиодных свето-вых приборов используются печатные платы с алюминиевой подложкой (MCPCB). Через печатную плату с алюминиевой подложкой тепло передается с теплоотвода светодиода на внешний радиатор, на котором установлена печатная плата. Через внешний радиатор, закрепленный на корпусе светового прибора или конструктивно совмещенный с ним, тепло отводится в окружающее пространство. При отсутствии или блокировке внешнего теплоотвода светодиоды, находящиеся внутри светового прибора, выхо-дят из строя за считанные минуты.  

  Влияние температуры p-n-перехода на световой поток. 

  Производители измеряют световой поток выпускаемых ими све-тодиодов при использовании импульса тока длительностью 15–20 мс при фиксированной температуре перехода, равной 25 °C. Температура перехода светодиода в правильно сконструированной светодиодном световом приборе при нормальной работе с установленными теплоотводящими устройствами обычно находится в диапазоне 60–90 °C или даже может превышать это значение. Так как рабочая температура пере-хода почти всегда больше 25 °C, то установленные в световом приборе светодиоды излучают как минимум на 10% меньше света, чем указывают их произво-дители, если дополнительно не предостав-лены данные для более высоких темпера-тур перехода.
На графике ниже показано, какое влияние оказывает повышение температуры перехода на световой поток светодиодов разных цветов. Янтарные и красные свето-диоды наиболее, а синие – наименее чувствительны к изменениям температуры
перехода.

Светодиодные дисплеи на автомобиле - невидимке

  Продолжая  тему  средств  передвижения  Джеймса  Бонда,  нельзя  не вспомнить  автомобиль-невидимку  из  картины  "Умри, но не сейчас"  (2002  год).  Агент  007  решил  в  виде  исключения отказаться  от машин  своих  любимой  марок  Аstоn  Martin  и BMW  в  пользу  высокотехнологичного  спорт кара.  По  задумке режиссера  фильма,  корпус  автомобиля  Vanquish  представляет собой  сочетание  дисплеев,  на  которые  выводится  изображение  окружающей  среды.  Благодаря  этому  спорт кар  остается незаметным  ровно  до  того  времени,  пока  Бонд  не  решит  выйти  из  салона.  А  тем  временем  инженеры  компании  Mersedes построили  собственный  экспериментальный  автомобиль-невидимку  под  названием  F-СеLL.  В  отличие  от прототипа  из фильма  про  агента  007  светодиодными  дисплеями  покрыта лишь  та  половина  Mersedes  F-CeLL,  которая  находится  со  стороны  водителя.  С противоположной  же  стороны  размещена камера,  в  режиме  реального  времени  транслирующая  на экран изображение  всего  происходящего  за  автомобилем. 

 

  Источник: Журнал Chip 2013 № 2

Фотоэлементы с внешним и внутренним фотоэффектом

     Фотоэлементы с внешним фотоэффектом.

   Фотоэлементом называется электровакуумный, полупроводниковый или ионный прибор, в котором воздействие лучистой энергии оптического диапазона вызывает изменение его электрических свойств.
 Внешний фотоэффект или фотоэлектронная эмиссия заключается в том, что источник излучения сообщает части электронов дополнительную энергию, достаточную для выхода их вещества в окружающую среду (в вакуум или разрежённый газ). В вакуумных или электронных фотоэлементах движение происходит в вакууме, в газонаполненных или ионных фотоэлементах электроны перемещаются в разреженном газе и ионизируют атомы газа.

 
Фотоэлемент с внешним фотоэффектом (изо) имеет стеклянную колбу 2, в которой создан вакуум (в вакуумном фотоэлементе) или после откачки воздуха колба заполнена разреженным газом (аргоном при низком давлении - в ионных фотоэлементах).

Внутренняя поверхность колбы, за исключением небольшого "окна" для прохождения светового потока 1, покрыта фотокатодом 3, который представляет собой слой серебра (подложка), на который нанесен полупроводниковый слой окиси цезия.
Анод 4 фотоэлемента изготовляют в виде кольца, чтобы он не преграждал путь световому потоку к катоду. Колба помещается в пластмассовом цоколе 5, в нижней части которого находятся контактные штырьки 6 с выводами от анода и катода.

Под действием приложенного напряжения U источника питания между анодом и катодом фотоэлемента создается электрическое поле, и электроны, вылетающие с освещенной поверхности катода, направляются к положительно заряженному аноду. 

 

  Таким образом, в цепи установится фототок Iф, зависимость которого от светового потока Ф при неизменном напряжении источника питания (Ifr=f(Ф)) называется световой характеристикой. В ионном фотоэлементе электроны ионизируют атомы газа и увеличивают поток электронов т. е. увеличивают ток фотоэлемента, повышая его чувствительность.

Фотоэлектронная эмиссия и фототок фотоэлемента зависят от длины волны светового излучения, поэтому помимо световой чувствительности фотоэлементы характеризуются спектральной чувствительностью.

Анодные вольт амперные характеристики фотоэлементов показывают зависимость фототока от приложенного к зажимам фотоэлемента напряжения при неизменном световом потоке, освещающем фотокатод, т. е. Iф =f(U) при Ф = const.

  У электронного фотоэлемента фототок сначала быстро растет при увеличении напряжения, а затем рост его замедляется и, наконец, почти совсем прекращается, т. е., наступает режим насыщения (изо, а).
 Для ионных фотоэлементов анодная вольт амперная характеристика после горизонтального участка (электронный ток) поднимается вверх вследствие ионизации газа (изо, б).
В процессе работы фотоэлементов их параметры со временем изменяются, т. е. проявляется свойство их "утомляемости".
Обычно фотоэлементы используют совместно с ламповыми или транзисторными усилителями вследствие малого значения фототока, который может быть получен от фотоэлемента.

 Наряду с фотоэлементами существуют фотоэлектронные приборы с усилением фототока, называемые фотоэлектронными умножителями. Эти приборы с внешним фотоэффектом, в которых фототок усиливается под действием вторичной электронной эмиссии.

 Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом и с запирающим слоем.

  Внутренний фотоэффект заключается в том, что источник излучения световой энергии вызывает увеличение энергии у части электронов вещества, ионизацию атомов и образование новых носителей зарядов (электронов и дырок), вследствие чего уменьшается электрическое сопротивление освещаемого материала.  Если при внешнем фотоэффекте электроны покидают пределы освещаемого вещества, то при внутреннем фотоэффекте они остаются внутри вещества,увеличивая количество носителей электрических зарядов.
 Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом называются фоторезисторами (фотосопротивлениями). Они представляют собой полупроводниковые приборы, электрическое сопротивление которых резко изменяется под действием падающего на них светового излучения. В качестве полупроводников применяют сернистый свинец (фоторезистор ФСА), селенид кадмия (фоторезистор ФСД), сернистый кадмий (фоторезистор ФСК).  Фоторезисторы ФСА применяются в инфракрасной, а остальные — в видимой области света. Чувствительность фоторезисторов значительно выше чувствительности фотоэлементов с внешним фотоэффектом, так что в ряде устройств фоторезисторы заменяют ранее используемые фотоэлементы с внешним фотоэффектом. Фоторезистор представляет собой (изо, а) стеклянную пластинку 1, на которую нанесен тонкий слой полупроводника 2, покрытый прозрачным лаком для защиты от механических повреждений и влаги. По краям выведены два металлических электрода 3. Фоторезистор помещен в пластмассовый корпус с двумя штырьками, к которым присоединяются электроды. Условное обозначение и схема включения фоторезистора показаны на изо, б.

Фоторезистор:а - схема устройства,б - схема включения и условное обозначение ФР,в - вольт амперная характеристика;1 - пластинка, 2 - слой полупроводника, 3 -электроды

Фоторезистор работает только от внешнего источника питания и имеет одинаковое сопротивление в обоих направлениях.
Неосвещенный фоторезистор обладает большим «темновым» сопротивлением Rт (от сотен килоом до нескольких мегаом) и через него проходит малый «темновой» ток Iт. При освещенном фоторезисторе его сопротивление резко уменьшается и ток увеличивается до некоторого значения Iс, зависящего от интенсивности освещения. Разность между токами при освещении и «темновым» называется фототоком, т. е.
Iф = Iс - Iт.
Вольт амперная характеристика фоторезистора (изо, в), т. е. зависимость фототока от напряжения источника питания при неизменном световом потоке Iф = f(U) при
Ф = const линейна. Видно, что прямая затенённого положе, чем освещённого.
Это говорит о меньшей чувствительности неосвещённого элемента. К недостаткам фоторезисторов относится их инерционность (при освещении фототок не сразу достигает своего конечного значения, а лишь через некоторое время), нелинейность световой характеристики (фототок возрастает медленнее, чем сила света), зависимость электрического сопротивления и фототока от температуры окружающей среды. Фотоэлементы с фотоэффектом в запирающем слое, называющиеся вентильными фотоэлементами, имеют запирающий слой между полупроводниками с р-и n-проводимости. В этих фотоэлементах под воздействием светового излучения возникает ЭДС, называемая фото-эдс. Для изготовления вентильных фотоэлементов применяют селен, сернистый таллий, сернистое серебро, германий и кремний.

 Схема устройства кремниевого
вентильного фотоэлемента1 - пластина кремния,2 - слой полупроводника

 Освещение поверхности фотоэлемента вблизи р-n-перехода вызывает ионизацию атомов кристалла и образование новых пар свободных носителей зарядов - электронов и дырок.
Под действием электрического поля р-n-перехода образующиеся в результате ионизации атомов кристалла электроны переходят в слой n, а дырки — в слой р, что приводит к избытку электронов в слое n и дырок в слое р.
Под действием разности потенциалов (фото-эдс) между слоями р и n во внешней цепи проходит ток I, направленный от электрода р к электроду n. Этот ток зависит от количества носителей зарядов - электронов и дырок, т. е. от силы света.

Чувствительность вентильных фотоэлементов высока (до 10 мА/лм), они не требуют источника питания и находят широкое применение в различных областях электроники, автоматики, измерительной технике и т. д. Принцип устройства кремниевого фотоэлемента с запирающим слоем показан на изо.
На пластину кремния 1 с примесью, создающей электронную проводимость, вводят примесь бора путем диффузии в вакууме, в результате этого образуется слой полупроводника с дырочной проводимостью 2 очень малой толщины, так что световые лучи свободно проникают в зону перехода. Батареи кремниевых элементов находят применение для непосредственного преобразования солнечной энергии в электрическую. Такие преобразователи, называемые солнечными батареями, применяют, например, на искусственных спутниках Земли для питания их аппаратуры.
Полупроводниковый фотоэлемент с двумя электродами, разделенными р-n-переходом, называемый фотодиодом, может работать как с внешним источником питания (преобразовательный режим), так и без внешнего источника (генераторный режим). При работе в генераторном режиме фотодиода его освещение вызывает возникновение фото-эдс, под действием которой во внешней цепи через нагрузку проходит ток, т. е. источником питания является фотодиод.  При работе в фотопреобразовательном режиме напряжение внешнего источника питания приложено встречно фото-эдс и фотодиод подобен фоторезистору с более высокой чувствительностью.
Если фотодиод не освещен, то через него проходит не большой обратный ток (темновой ток) под действием внешнего источника питания. При освещении электронной области фотодиода образуются носители зарядов - электроны и дырки. Дырки доходят до р-n-перехода и под действием электрического поля переходят в р-область, т. е. освещение вызывает увеличение числа перешедших неосновных носителей из n-области в р-область, и, следовательно, ток в цепи возрастает (возникает фототок).
 

Курс по радиоэлектронике 2012

 

Светодиоды и магнитофоны - катушечные СССР

   Добрый День всем читателям данного сайта.

 В на шее время смотря на магазины и прилавки авто запчастей, мы с Вами друзья, видим много интересного, а именно много интересных, можно так сказать украшений для наших автомобилей, светодиодные ленты, подсветки неона собранных на светодиодах и т.п.
 У меня вопрос, к Вам дорогие читатели - а помнит ли кто то из Вас где были использованы светодиоды еще? Особенно в советское время? Конечно же были. Так как у меня есть увлечение советской радиотехникой. Я Вам немного опишу использование светодиодов в советской радио индустрии. Вот возьмем к примеру Магнитофон-катушечный Олимп 004 Стерео (аппарат довольно таки известен в среде радиолюбителей и меломанов, музыкантов.

   Данные характеристики приведены ниже: ''Олимп-004-стерео''
Магнитофон-приставка ''Олимп-004-стерео'' предназначен для высококачественной записи стереофонических монофонических фонограмм и последующего их воспроизведения, через головные телефоны, или внешнее УКУ с акустическими системами. В аппарате применен ЛПМ с прямым приводом вала и электронно-логическим управлением режимами работы.  Имеются автостоп при окончании магнитной ленты на катушке,  устройства автоматической стабилизации при натяжения ленты, а также электронной стабилизации частоты вращения ведущего двигателя, электронный счётчик расхода ленты с авто поиском по паузам в фонограммах. В дополнение к раздельным регуляторам уровня записи по двум каналам, введен регулятор позволяющий изменять его одновременно в двух каналах,  предусмотрена возможность использования блока, для дистанционного управления режимами работы на ИК лучах - ''Олимп-4''. Скорость ЛПМ 9,53/19,05 см/сек.  Коэффициент детонации на скорости 9,53 ±0,15%/19,05 ±0,08%. Рабочий диапазон частот на скорости 9,53 - 31,5...16000 Гц, 19,05 - 31,5...22000 Гц. Коэффициент гармоник на ЛВ - 1,5...2,0%. Относ. уровень шумов и помех в канале записи/воспроизведения - 60 дБ. Мощность, потребляемая от эл. сети не более 100 Вт. Габаритные размеры магнитофона-приставки ''Олимп-004-стереро'' без упаковки - 513х464х220 мм.  Его масса 28 кг.

   И еще один аппарат который достоин нашему вниманию-Блочный усилитель Эстония 010 стерео. 

  Стереофонический усилитель мощности ''Эстония УМ-010С'' предназначен для усиления сигналов 3Ч, поступающих от однотипного или другого предварительных усилителей ЗЧ. УМ имеет светодиодные индикаторы режимов работы, электронную защиту от перегрузок ПУ, стерео телефоны, две пары АС.     

Основные технические характеристики: ''Эстония УМ-010С'': 

  Выходная мощность: синусоидальная (номинальная) - 2х50, музыкальная - 2х85 Вт. Номинальный диапазон воспроизводимых ЗЧ - 20...25000 Гц.  Коэффициент гармоник на частоте 1 кГц - 0,005%, 20 кГц 0,03%.  Отношение сигнал/взвешенный шум - 105 дБ.  Переходное затухание каналов - 56 дБ.  ЭДС,  соответствующая номинальной выходной мощности, 0,8...1 В.  Мощность, потребляемая от электрической сети - 150 Вт. Габариты усилителя мощности - 460х360х80 мм. Масса - 12,2 кг.  Цена - 290 рублей.  Усилитель мощности выпускался с 1987 года как отдельное устройство, а в блочной радиоле ''Эстония-010-стерео'' 1983 годы выпуска применялись активные акустические системы ''АС 25АС-311'' или ''АС 25АС-313''.

 Усилитель предварительный выпускался как для работы в составе блочной радиолы ''Эстония-010-стерео'',  так и для отдельной работы   как автономный блок.  В предварительном усилителе ''Эстония-УП-010-стерео'' имеется плавная,  раздельная по ВЧ и НЧ регулировка тембра,  ограничение диапазона ЗЧ снизу,  фиксация АЧХ,  индикация уровня выходного сигнала и перегрузки.  Помимо входов и выходов,  предназначенных для стыковки с блоками усилителя мощности, электропроигрывателя, тюнера и т.д.,  в предусилителе имеются входы и выходы  для двух магнитофонов,  с возможностью перезаписи фонограмм,  универсальный  вход,  выход для подключения стерео телефонов.   Технические характеристики:
 Номинальный диапазон частот, Гц 20...20000. Диапазон регулирования тембра, дБ (на частотах 40 и 16000 Гц) ±12. Переходное затухание между каналами, дБ, не менее,  на частоте 1 кГц - 48. Коэффициент гармоник, %, не более - 0,03. Отношение сигнал/взвешенный шум, дБ, не менее - 71. Габариты, мм. - 460х80х360. Масса, кг не более - 10.

 

Ну и конечно же Олимп 005 й Стационарный катушечный магнитофон-приставка высшего класса со сквозным трактом записи и воспроизведения предназначен для работы в составе радио комплекса. Магнитофон имеет микроконтроллерное программное управление, кварцевую систему стабилизации скорости движения магнитной ленты, автокоррекцию амплитудно-частотных характеристик канала  записи,  электронную коммутацию по всем входам, регулировку тока подмагничивания. В модели имеется полный авто реверс, возможность поиска нужного фрагмента фонограммы по паузам (в режиме обзор и память),  включение магнитофона в одно,  заранее установленное время (режим таймер),  люминесцентную индикацию уровня записи, электронный счетчик ленты. Все магнитофоны-приставки по конструкции, электрической схеме и пара метрам имеют много общего между собой, хотя имеются и незначительные, но существенные отличия.

   Основные технические характеристики моделей: Олимп 005 

  Скорость ленты 19,05 и 9,53 см/с;  рабочий диапазон частот на большей скорости - 20...25000 Гц, меньшей - 20...18000 Гц; коэффициент детонации соответственно - 0,08 % - 0,15%; коэффициент гармоник на скорости 19,05 см/с около 1,5%; соотношение сигнал/шум на скорости 19,05 см/с -60, 9,53 см/с -56 дБ потребляемая мощность 100 Вт; габариты - 460х450х220 мм; масса 20 кг.

  

Ремонт, обслуживание, настройка и доставка таких магнитофонов и усилителей по Украине   пишите на почту! 

Межкомнатная дверь с светодиодным рисунком (подсветкой)

  Берём дешевые доски, чтобы дверь была прямой и устойчивой. К тому же, я использовал четыре слоя стекла – два наружных толщиной 3 мм из полированного стекла и два внутренних толщиной 3 мм из оргстекла, на которых и выгравирован рисунок. Мне пришлось использовать оргстекло, потому что оно лучше проводит свет, чем обычное стекло.

  Это четыре листа стекла (довезти до дома их было непросто, но это уже другая история). Кстати, они зеленые потому, что покрыты защитным пластиком. Это первый кусок дешевой древесины, выпиленной по нужной форме. На самом деле, ничего интересного – все пилишь, пилишь… К тому же, мне пришлось использовать фрезерный станок, чтобы срезать со всех досок по 2 мм: я купил доски толщиной 22 мм, а толщина двери – 40 мм. Чертовски много возни. Кроме того, надо было вырезать пазы для стекол.

Все доски уже выпилены по нужной форме. В двух досках посередине, к тому же, пропилены пазы. Как видите, в среднем слое дешевых досок используется более крупная стружка. Это нижняя часть двери. Поскольку дверь довольно тяжелая, я побоялся, что обычные шурупы для дерева не выдержат, поэтому выпилил небольшие пазы между двух слоев деревянных досок и вклеил в них по три гайки и прокладки M5 (A4 из нержавеющей стали – чтобы наверняка). Ниже – фотография пазов для двух гаек 6 мм и двух резьбовых стержней. Они служат опорой для стекла. Стекло подается через нижнюю часть двери (сверху было бы легче, но это невозможно из-за большой конструктивной
прочности рамы). Под стеклом находится доска и два резьбовых стержня. Между ними тоже расположен кусок дерева – чтобы укрепить конструкцию и распределить вес. Снимок гаек и прокладок для петли крупным планом. Сама петля и шурупы уже прикручены, чтобы гарантировать, что гайки приклеются в нужном месте.  
Все склеено и заполнено наполнителем. Мне пришлось использовать наполнитель, чтобы выровнять поверхность, потому что в середине плотность досок меньше. Кроме того, я аккуратно подпилил кромку с помощью фрезеровочного станка. Я понадеялся, что краски окажется достаточно, чтобы заполнить все неровности и сделать дерево гладким… увы, не вышло. Здесь тоже пришлось использовать наполнитель.
 Светодиоды! Если быть точным – 120 штук, 60 синих и 60 белых. Они будут подсвечивать стекло. Держатели для светодиодов, сделанные из полосок оргстекла толщиной 3 мм размером 1 х 62 см. Я вырезал по отверстию для каждого светодиода и для каждого резистора (один резистор на три светодиода). Кроме того, пришлось прорезать паз для шнура. Он будет расположен над и под стеклом, под тяжестью одного листа оргстекла.  Снимок полосок со светодиодами крупным планом – смотрится как художественная фотография. Белые кажутся синеватыми – забыл отрегулировать баланс белого на камере… Это первый слой стекла с выгравированным на нем рисунком (он будет синий) и второй (будет белый). Оба слоя, соединенные друг с другом. Гравировка расположена на обоих листах с разных сторон. В идеале, было бы здорово выгравировать рисунок на обоих листах с одной и той же стороны, однако в таком случае изображение смотрелось бы прекрасно под прямым углом, но двоилось бы при взгляде под углом (рисунки бы не совпадали друг с другом на 3 мм). Поэтому те стороны, на которых вырезан рисунок, расположены лицом друг к другу. Проблема в том, что при этом рисунок кажется несколько четче с одной стороны, чем с другой. Правда, в результате все оказалось не так страшно, как я ожидал. Обратите внимание: синий и белый цвета слегка накладываются друг на друга. На
фотографии синий кажется очень неоднородным, но на самом деле, он смотрится гораздо лучше. Так вышло потому, что белый здесь показан с «правой» стороны, а синий – с «изнанки».     

А вот, наконец, дверь целиком в освещенной комнате. Свет в прихожей отключен. Стекло абсолютно прозрачно, но на фотографиях, сделанных при включенном свете, рисунок смотрится плохо. Правда, в реальности этой проблемы нет. 

 Источник:   Сборник мастер-класс 2012