а) пятивалентной
(донорной) б) трехвалентной
(акцепторной)
Например, при замещении в кристаллической решетке атома германия атомом
пятивалентного вещества (мышьяка, сурьмы, фосфора) четыре электрона этого
вещества образуют заполненные связи с соседними атомами германия, а пятый
электрон окажется свободным (изо, а),
поэтому такая примесь увеличивает электронную проводимость (n-проводимость) и называется
донорной.
При замещении атома германия атомом трехвалентного вещества (индий, галлий, алюминий) его электроны вступят в ковалентную связь с тремя соседними атомами германия, а связи с четвертым атомом германия будут отсутствовать, так как у индия нет четвертого электрона (изо, б).
Восстановление всех ковалентных связей возможно, если недостающий четвертый электрон будет получен от ближайшего атома германия. Но в этом случае на месте электрона, покинувшего атом германия, появится дырка, которая может быть заполнена электроном из соседнего атома германия.
Последовательное заполнение свободной связи эквивалентно движению дырок.
Примеси с меньшим числом валентных электронов в атоме по сравнению с атомом данного полупроводника вызывают преобладание дырочной проводимости и называются акцепторными.
Носители заряда, определяющие вид проводимости в примесном полупроводнике, называются основными (дырки в р-полупроводнике и электроны в n-полупроводнике), а носители заряда противоположного знака — неосновными.
Источник: Изучение электротехники и электроники. Ванюшин Н. Б.
При замещении атома германия атомом трехвалентного вещества (индий, галлий, алюминий) его электроны вступят в ковалентную связь с тремя соседними атомами германия, а связи с четвертым атомом германия будут отсутствовать, так как у индия нет четвертого электрона (изо, б).
Восстановление всех ковалентных связей возможно, если недостающий четвертый электрон будет получен от ближайшего атома германия. Но в этом случае на месте электрона, покинувшего атом германия, появится дырка, которая может быть заполнена электроном из соседнего атома германия.
Последовательное заполнение свободной связи эквивалентно движению дырок.
Примеси с меньшим числом валентных электронов в атоме по сравнению с атомом данного полупроводника вызывают преобладание дырочной проводимости и называются акцепторными.
Носители заряда, определяющие вид проводимости в примесном полупроводнике, называются основными (дырки в р-полупроводнике и электроны в n-полупроводнике), а носители заряда противоположного знака — неосновными.
Источник: Изучение электротехники и электроники. Ванюшин Н. Б.
Комментариев нет:
Отправить комментарий