Новая Q-серия светодиодных индикаторов широкого диапазона напряжений

  Светодиодные индикаторы широкого диапазона напряжений новой Q-серии, производимые компанией АРЕМ, обеспечивают стабильную, бесперебойную подсветку для систем с изменяющимся напряжением. Модели, доступные для напряжений в диапазонах 6–30 В или 30–60 В, уменьшают номенклатуру складских потребностей.
   Преимущества и особенности новых индикаторов со встроенным регулятором напряжения:
• низкий расход энергии, стандартно 10 мА;

• сохранение постоянного свечения на различном напряжении и предотвращение повреждения светодиода при выбросах напряжения;
• 100 000 ч наработки на отказ;
• устойчивость к ударам и вибрации.
   Монтируемые на панели индикаторы Q-серии доступны в широком диапазоне размеров, моделей и отделок корпусов, выводов, типов и цвета
подсветки.

www.yeint.ru

Светодиодная игральная кость

   Электронная игральная кость

А. Ковалёв, г. Надым, Ямало-Ненецкий АО
Игральная кость или кубик  популярный "генератор" случайных чисел в различных настольных иrрах. В статье предложен электронный вариант такого устройства с индикатором на светодиодах. 

Схема устройства показана на рис.1, eгo основа микроконтроллер, у которого в качестве генератора тактовой частоты использован встроенный
RC-генератор. Питающее напряжение на индикатор, собранный на светодиодах HL1-HL7, поступает с линий порта RВ1-RB7.

 "Бросают" кость кратковременным нажатием на кнопку SB1. После подачи напряжения питания нажатие должно быть двукратным, затем достаточно однократного. Микроконтроллер подсчитывает число импульсов тактовой частоты за интервал между нажатиями, а поскольку в каждом конкретном случае он различен, "выпавшее" число будет случайным.

   
 Диодный мост VD1 выпрямит питающее напряжение, если оно переменное, и обеспечит правильную ero полярность, независимо от полярности подаваемого на гнездо ХS1. Напряжение питания микроконтроллера стабилизировано интегральным стабилизатором DА1. Для питания устройства можно применить не стабилизированный сетевой блок питания или батарею аккумуляторов напряжением 9...12 В. Благодаря наличию диодноro моста,  для питания пригоден и источник переменного Напряжения 7...9 В.
  Все элементы устройства монтируют на  печатной плате из односторонне фольгированного стеклотекстолита, чертёж которой показан на рис. 2.
Применены резисторы МЛТ C2-23, Р1-4, оксидные конденсаторы - импортные, остальные  K10-17. Стабилизатор L7805ABV можно заменить аналогами  стабилизаторами 7805, КР142ЕН5А. Диодный мост может быть любым из серии 2Wxx, светодиоды  любого цвета свечения в пластмассовом корпусе диаметром 5 мм! например АЛ307БМ. Гнездо питания  DS-261B, кнопка с само возвратом TS-A6PS-130, ПКн159. Внешний вид собранной платы показан на рис. з. Налаживания устройства не
требуется. 

Источник: журнал Радио 2012

Светодиодные лампы

Фото с  Журнал - Радиомир №6 (июнь) 2012

Основные правила освещения

            Основные правила освещения следующие.
  1. Освещенность комнаты должна быть не меньше 15 Вт на 1 квадратный метр площади. Это значит, что если размеры комнаты 5x4 м, то люстра должна иметь пять лампочек по 60 Вт каждая. Имеется в виду мощность лампочек накаливания. Мощность ламп другого типа.

2. Расстояние от пола до нижнего края потолочного светильника должно быть не меньше 2 м. Если есть желание повесить в типовой квартире многоярусную хрустальную люстру, то сначала стоит задуматься: не будут ли лампочки оставлять ожоги на лбу. 

3. Светильники в ванной комнате и сан узле обязательно должны иметь стекла для защиты от повышенной влажности и брызг воды. Степень защиты — IP 54 и выше. 

  Расшифровка значений IP приведена в табл.

    4. Перед тем как начать электро монтажные работы, необходимо выполнить чертеж объекта, на котором помечаются зоны освещения. При
этом должны учитываться все факторы: уровень естественного освещения, цветовая гамма интерьера, мощность и направленность искусственного освещения, личные пожелания и т. д.

  Источник: большая энциклопедия электрика 2011 год.

Схема связи примесей с германием

  а) пятивалентной (донорной)             б) трехвалентной (акцепторной)

 Например, при замещении в кристаллической решетке атома германия атомом пятивалентного вещества (мышьяка, сурьмы, фосфора) четыре электрона этого вещества образуют заполненные связи с соседними атомами германия, а пятый электрон окажется свободным (изо, а), поэтому такая примесь увеличивает электронную проводимость (n-проводимость) и называется донорной.

При замещении атома германия атомом трехвалентного вещества (индий, галлий, алюминий) его электроны вступят в ковалентную связь с тремя соседними атомами германия, а связи с четвертым атомом германия будут отсутствовать, так как у индия нет четвертого электрона (изо, б).

Восстановление всех ковалентных связей возможно, если недостающий четвертый электрон будет получен от ближайшего атома германия. Но в этом случае на месте электрона, покинувшего атом германия, появится дырка, которая может быть заполнена электроном из соседнего атома германия.
Последовательное заполнение свободной связи эквивалентно движению дырок.

Примеси с меньшим числом валентных электронов в атоме по сравнению с атомом данного полупроводника вызывают преобладание дырочной проводимости и называются акцепторными.
Носители заряда, определяющие вид проводимости в примесном полупроводнике, называются основными (дырки в р-полупроводнике и электроны в n-полупроводнике), а носители заряда противоположного знака — неосновными.
Источник:  Изучение электротехники и электроники. Ванюшин Н. Б.

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

   Электропроводность полупроводников

Полупроводниками называются материалы, занимающие промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Особенностью металлических проводников является наличие свободных электронов - носителей электрических зарядов.

  В диэлектриках свободных электронов нет и поэтому они не проводят тока. В отличие от проводников полупроводники имеют не только электронную, но и «дырочную» проводимости, которые в сильной степени зависят от температуры, освещенности, сжатия, электрического поля и других факторов.

    Кристаллическая решетка полупроводника
a) Парно электронная (ковалентная) связь атомов

  

б) Ее схематическое изображение

в) Связи в кристаллической решетке германия

 Химическую связь двух соседних атомов с образованием на одной орбите общей пары электронов (изо,а) называют ковалентной или парно электронной и условно изображают двумя линиями, соединяющими электроны (изо,6).
Например, германий принадлежит к элементам четвертой группы периодической системы элементов Менделеева и имеет на внешней орбите четыре валентных электрона. Каждый атом в кристалле германия образует ковалентные связи с четырьмя соседними атомами (изо, в).
При отсутствии примесей и температуре, близкой к абсолютному нулю, все валентные электроны атомов в кристалле германия взаимно связаны и свободных электронов нет, так что германий не обладает проводимостью.
При повышении температуры или при облучении увеличивается энергия электронов, что приводит к частичному нарушению ковалентных связей и появлению свободных электронов. Уже при комнатной температуре под действием внешнего электрического поля свободные электроны перемещаются и в кристалле возникает электрический ток. 
 Электропроводность, обусловленная перемещением свободных электронов, называется электронной проводимостью полупроводника,
или n - проводимостью.При появлении свободных электронов в ковалентных связях образуется свободное не заполненное электроном (вакантное) место - «электронная дырка».
Так как дырка возникла в месте отрыва электрона от атома, то в области ее образования возникает избыточный положительный заряд.

 При наличии дырки какой-либо из электронов соседних связей может занять место дырки и нормальная ковалентная связь в этом месте восстановится, но будет нарушена в том месте, откуда ушел электрон. Новую дырку может занять еще какой-нибудь электрон и т. д.
Схема образования и заполнения дырки условно показана на изо.
В установленной наклонно подставке имеется четыре отверстия (дырки), в которых расположено четыре шара (электрона). Если шар 1 сместится вправо, то он освободит отверстие (дырку) и упадет с подставки, а в отверстие, которое занимал этот шар, переместится шар 2. Свободное отверстие (дырку) шара 2 займет шар 3, а отверстие последнего - шар 4.
Под действием внешнего электрического поля дырки перемещаются в направлении сил поля, т. е. противоположно перемещению электронов.

Проводимость, возникающая в результате перемещения дырок, называется дырочной проводимостью, или р-n проводимостью.Таким образом, при электронной проводимости один свободный электрон проходит весь путь в кристалле, а при дырочной проводимости большое число электронов поочередно замещают друг друга в ковалентных связях и каждый из них проходит свой отрезок пути.
В кристалле чистого полупроводника при нарушении ковалентных связей возникает одинаковое число свободных электронов и дырок. Одновременно с этим происходит обратный процесс - рекомбинация, при которой свободные электроны заполняют дырки, образуя нормальные ковалентные связи. 

 При определенной температуре число свободных электронов и дырок в единице объема полупроводника в среднем остается постоянным. При повышении температуры число свободных электронов и дырок сильно возрастает и проводимость германия значительно увеличивается. Электропроводность полупроводника при отсутствии в нем примесей называется его собственной электропроводностью. Свойства полупроводника в сильной степени меняются при наличии в нем ничтожного количества примесей. Вводя в кристалл полупроводника атомы других элементов, можно получить в кристалле преобладание свободных электронов над дырками или, наоборот, преобладание дырок над свободными электронами.

 
Источник:  Изучение электротехники и электроники. Ванюшин Н. Б.